PD84008S-E技术参数详情：
PD84008S-E是ST意法半导体推出的一款射频功率N沟道MOSFET，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心定位为在870MHz频率下提供高效的功率放大功能，其关键参数包括16.2dB的高功率增益和2W的功率输出能力，旨在提升射频前端的信号驱动强度。
在7.5V测试电压下，器件展现出良好的工作特性，7A的额定电流和25V的额定电压确保了其在中等功率应用中的稳定性和可靠性。裸露底盘的PowerSO-10封装设计优化了散热性能，适合对空间和热管理有要求的紧凑型射频电路设计。
- 型号:PD84008S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 7.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:870MHz
- 增益:16.2dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:250 mA
- 功率 - 输出:2W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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