PD85004技术参数详情：
PD85004是ST意法半导体生产的一款有源、高性能LDMOS射频功率场效应晶体管（FET）。该器件针对870MHz应用频率进行优化，在13.6V工作电压下，可提供高达4W的射频输出功率和约17dB的功率增益，有效简化了驱动级设计。
其核心优势在于采用了耐压达40V的LDMOS技术，并具备2A的额定电流能力，确保了在高功率工作条件下的可靠性与鲁棒性。采用TO-243AA封装，兼顾了散热性能与安装便利性，使其成为UHF频段移动通信、专业无线设备及射频系统中功率放大级的理想解决方案。
- 型号:PD85004
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-89-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V SOT89-3
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:2A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:4W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商器件封装:SOT-89-3
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