PD85006-E技术参数详情：
PD85006-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，专为870MHz频段优化设计。该器件在13.6V工作电压下，可提供高达6W的射频输出功率，并具备17dB的优异功率增益，能有效简化驱动级设计。
其采用PowerSO-10封装，结合40V的高额定电压与2A的电流处理能力，确保了在严苛环境下的高可靠性和出色的散热性能。这款晶体管主要面向专业无线通信、射频基础设施及其他需要稳定、高效功率放大的应用领域。
- 型号:PD85006-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:2A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:200 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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