STQ2LN60K3-AP技术参数详情：
STQ2LN60K3-AP是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其600V的高压阻断能力与优化的开关特性的紧密结合，为高压开关应用提供了高效的解决方案。
其关键参数包括600mA的连续漏极电流、低至4.5欧姆的导通电阻以及仅12nC的栅极电荷。这些特性共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。器件采用TO-92-3通孔封装，工作结温高达150°C，具备良好的热性能和可靠性，适用于对空间和成本有一定要求的紧凑型设计。
- 型号:STQ2LN60K3-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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