PD85006L-E技术参数详情：
PD85006L-E是ST意法半导体推出的一款射频功率LDMOS晶体管，采用PowerFLAT 5x5 (8-PowerVDFN)封装，专为870MHz频段的高性能功率放大应用设计。
该器件在13.6V工作电压下，可提供高达5W的输出功率和17dB的功率增益，具备优异的功率处理能力和驱动效率。其40V的高额定电压和2A的额定电流确保了其在严苛工作条件下的可靠性与鲁棒性，适用于对线性度和效率有较高要求的专业通信与工业射频系统。
- 型号:PD85006L-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:2A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:200 mA
- 功率 - 输出:5W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
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