STU13N60M2技术参数详情：
STU13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，能够在高压条件下实现高效的功率传输与低导通损耗。
器件在25°C壳温下的连续漏极电流为11A，最大功率耗散达110W，确保了强大的电流处理能力与热性能。其优化的动态特性，如最大17nC的栅极电荷（Qg）和580pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。IPAK（TO-251）通孔封装和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STU13N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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