PD85006TR-E技术参数详情：
PD85006TR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管。该器件采用PowerSO-10RF封装，设计用于870MHz频段，在13.6V工作电压下可提供5W的输出功率和17dB的高增益，显著简化了功率放大器的前级驱动设计。
其核心优势在于40V的高额定电压和2A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的高可靠性和鲁棒性。裸露焊盘的封装设计优化了热管理性能，使其成为专业无线通信、工业射频应用等中功率放大场景的经典解决方案。
- 型号:PD85006TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:2A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:200 mA
- 功率 - 输出:5W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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