STW12NK60Z技术参数详情：
STW12NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数针对高压开关应用进行了优化，提供600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好折衷，典型导通电阻（Rds(on)）为640毫欧@10V，最大栅极电荷（Qg）为59nC，这有助于降低传导损耗并提升开关速度，从而提高整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±30V的宽栅源电压耐受范围，确保了应用的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STW12NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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