PD85025-E技术参数详情：
PD85025-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列的有源器件。该器件针对870MHz工作频率优化，在13.6V测试电压下可提供10W的射频输出功率，并具备高达17.3dB的功率增益，能够有效提升信号放大效率。
其核心参数包括40V的额定电压和7A的额定电流，展现了强大的功率处理能力。器件采用带裸露焊盘的PowerSO-10RF封装，有利于散热和高频性能优化。这些特性使其成为专业无线通信设备中射频功率放大级的可靠解决方案。
- 型号:PD85025-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17.3dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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