STGP20H60DF技术参数详情：
STGP20H60DF是意法半导体生产的一款600V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220封装。该器件核心优势在于其优异的导通与开关损耗平衡，其Vce(on)典型值低至2V（@15V，20A），有效降低了导通损耗，同时其开关能量（Eon/Eoff）与栅极电荷（115nC）均经过优化，确保了在高频开关应用中的效率。
该器件具备80A的脉冲电流能力和高达167W的功率处理能力，工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了强大的过载能力和环境适应性。其标准输入特性和快速的开关时间使其易于驱动，并能有效降低系统电磁干扰，是电机驱动、电源转换等中功率应用的理想选择。
- 型号:STGP20H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:209J（导通），261J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:115 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):90 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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