PD85025C技术参数详情:
PD85025C是ST意法半导体生产的一款有源、高性能射频LDMOS场效应晶体管(FET),隶属于晶体管-FET,MOSFET-射频系列。该器件针对945MHz附近的射频功率放大应用进行了优化,在13.6V工作电压下可提供10W的输出功率和17.5dB的高增益,具备出色的功率驱动能力。
其核心优势在于高达40V的额定电压和7A的额定电流,确保了器件在高压、大电流工作条件下的高可靠性和鲁棒性。采用M243封装,兼顾了射频性能与散热需求。这些特性使其非常适用于要求高功率、高增益和稳定性的专业无线通信设备功率放大级。
- 型号:PD85025C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:17.5dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流(安培):7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
- 现在可以订购PD85025C,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。