PD85025S-E技术参数详情：
PD85025S-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率场效应晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件针对870MHz频段优化，在13.6V工作电压下可提供高达10W的输出功率和17.3dB的功率增益，具备高功率处理能力。
其采用PowerSO-10带裸露焊盘封装，确保了良好的散热性能。该器件设计用于需要中高功率增益和效率的射频放大电路，适用于特定的无线通信频段。请注意，此型号产品目前已停产。
- 型号:PD85025S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17.3dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 现在可以订购PD85025S-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
