STS9P2UH7技术参数详情：
STS9P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心参数包括20V的漏源电压(Vdss)与9A的连续漏极电流(Id)，在4.5V栅极驱动下导通电阻(Rds(on))典型值低至22.5毫欧，实现了优异的导电效率。
其设计兼顾了易驱动性与性能，栅极阈值电压最大为1V，便于低电压逻辑直接控制，同时栅极总电荷(Qg)较低，有助于提升开关速度并降低动态损耗。器件结温最高可工作于150°C，具备良好的热可靠性。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的负载开关、电源路径管理和低压转换等应用的理想选择。
- 型号:STS9P2UH7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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