PD85035A-E

PD85035A-E是ST意法半导体推出的一款采用PowerSO-10RF封装的LDMOS射频功率场效应晶体管。该器件针对870MHz频段优化设计，能够在13.6V测试电压下，提供高达35W的射频输出功率和15dB至17dB的增益，展现出强大的信号放大能力。

其40V的额定电压和8A的额定电流确保了其在高压、大电流工作条件下的高可靠性。封装底部的裸露焊盘设计显著增强了散热性能，适用于需要高功率密度和长期稳定运行的射频前端放大电路，是专业通信与广播发射设备的理想核心元件。

• 制造商产品型号：PD85035A-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：FET RF 40V 870MHZ POWERSO10
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：870MHz
• 增益：15dB ~ 17dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：8A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：350mA
• 功率-输出：35W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
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