STW46NF30技术参数详情:
STW46NF30是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用,其核心电气参数包括300V的漏源电压(Vdss)和42A的连续漏极电流(Id),提供了坚实的功率处理基础。
其技术优势主要体现在低损耗特性上,在10V驱动电压下导通电阻(Rds(on))低至75毫欧(@17A),同时栅极电荷(Qg)最大仅为90nC。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合,能够有效降低系统的传导损耗和开关损耗,从而提升整体能效。器件采用TO-247封装,支持300W的功率耗散和175°C的最高工作结温,确保了在高功率应用中的可靠性与散热性能。
- 型号:STW46NF30
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 42A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 17A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):300W(Tc)
- 工作温度:175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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