PD85035STR-E技术参数详情：
PD85035STR-E是ST意法半导体推出的一款采用LDMOS技术的N沟道射频功率MOSFET，封装形式为PowerSO-10RF。该器件针对870MHz左右的射频应用进行了优化，在13.6V工作电压下可提供高达15W的输出功率和约17dB的功率增益，有效简化了驱动电路设计。
其核心优势在于强大的功率处理能力，具备40V的额定电压和8A的连续电流容量。专为散热优化的裸露焊盘封装确保了在高功率运行时的热可靠性。这些特性使其成为基站、专业移动通信等射频功率放大应用的理想选择，尤其注重效率、线性度及长期运行稳定性。
- 型号:PD85035STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:8A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:350 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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