STW14NM50技术参数详情：
STW14NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。
其电气参数设计针对高效功率开关进行了平衡，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现快速的开关切换并减少开关损耗。器件标称连续漏极电流为14A，最大结温为150°C，功率处理能力达175W，确保了在工业级电源转换、电机控制等应用中的强劲性能和可靠运行。
- 型号:STW14NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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