RF3L05150CB4技术参数详情：
RF3L05150CB4是ST意法半导体生产的一款射频功率LDMOS晶体管，专为高功率、高效率的射频放大应用而设计。该器件在1GHz频率下可提供高达150W的输出功率，并具备23dB的高增益，能有效简化驱动级设计并提升系统整体效率。
其工作测试电压为28V，额定电压高达90V，测试电流为500mA，展现了宽工作电压范围与强大的功率处理能力。这些核心参数使其成为广播通信、专业无线基础设施以及ISM波段高功率射频系统等应用中，功率放大末级的可靠解决方案。
- 型号:RF3L05150CB4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:LBB
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V LBB
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:1GHz
- 增益:23dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:2.5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:500 mA
- 功率 - 输出:150W
- 电压 - 额定:90 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:LBB
- 供应商器件封装:LBB
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