STI90N4F3技术参数详情：
STI90N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值6.5mΩ @ 10V, 40A）与高电流处理能力（连续漏极电流可达80A），能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体能效。
其电气规格包括40V的漏源电压（Vdss），以及优化的动态参数，如较低的栅极电荷（54nC）和输入电容，确保了快速的开关响应。器件设计工作在-55°C至175°C的宽结温范围，最大功率耗散为110W，具备良好的热性能与可靠性，适用于要求严苛的功率开关场景。
- 型号:STI90N4F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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