SCT20N120技术参数详情：
SCT20N120是ST意法半导体推出的一款N沟道SiCFET功率晶体管，采用HiP247通孔封装。其核心优势在于基于碳化硅技术，提供了1200V的高耐压和20A的连续电流能力，同时具备低至290毫欧的导通电阻，显著降低了功率损耗。
该器件动态性能优异，最大栅极电荷仅为45nC，支持高频开关操作，有助于提升系统功率密度。其工作结温范围宽达-55°C至200°C，结合175W的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等高效能功率转换系统的理想选择。
- 型号:SCT20N120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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