STD5N52K3

STD5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及低至1.5欧姆的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备4.4A的连续漏极电流能力和仅17nC的低栅极电荷（Qg），确保了高效的功率处理能力和快速的开关性能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。这些参数特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等中功率应用的高效、可靠之选。

• 型号:STD5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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