SCT20N120AG技术参数详情：
SCT20N120AG是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiCFET）功率晶体管，采用HiP247通孔封装。该器件核心参数包括1200V漏源电压和20A连续漏极电流，其最大导通电阻低至239毫欧（@10A，20V），结合仅45nC的最大栅极电荷，共同确保了极低的传导与开关损耗，显著提升系统效率。
作为通过AEC-Q101认证的汽车级产品，它支持-55°C至200°C的宽结温范围工作，最大功率耗散达153W，具备卓越的高温可靠性和鲁棒性。这些特性使其成为电动汽车电驱系统、车载充电、高端工业电源及光伏逆变器等高压、高频、高效率应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:SCT20N120AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:239毫欧 @ 10A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:153W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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