STB35N60DM2技术参数详情：
STB35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了600V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压大电流应用环境。
其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值被优化至54nC（@10V），有助于实现更低的开关损耗和更高的工作频率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大结温达150°C，功率耗散能力为210W（Tc），确保了在高功率密度设计中的可靠性与散热效能。
- 型号:STB35N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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