SCT20N120H

SCT20N120H是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET），采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件核心优势在于其宽禁带半导体技术，提供了1200V的漏源电压和20A的连续漏极电流处理能力，同时保持了较低的导通电阻（典型值290mΩ @10A, 20V）和极低的栅极电荷（45nC @20V）。

这些参数共同转化为卓越的电气性能：高耐压确保了在工业级电源中的可靠性，低导通损耗和快速开关特性则直接提升了系统的整体效率与功率密度。其结温工作范围高达200°C，结合良好的封装热性能，使其能够适应高温、高功率的严苛工作环境。

因此，SCT20N120H主要面向高效、高功率密度应用，如太阳能逆变器、服务器电源、电动汽车充电系统和工业电机驱动等，是追求系统性能升级和节能设计的工程师的优选功率开关器件。

• 型号:SCT20N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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