SCT30N120技术参数详情：
SCT30N120是ST意法半导体推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的N沟道功率FET。该器件核心规格包括1200V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的导通电阻（典型100mΩ @20A, 20V）和优化的动态特性，如较低的栅极电荷（最大105nC）与输入电容，这共同实现了高效率与高开关频率的平衡。器件采用HiP247通孔封装，支持高达200°C的结温工作，确保了在严苛环境下的高可靠性与强大的散热能力。
- 型号:SCT30N120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 1mA（典型值）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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