STF12N60M2

STF12N60M2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（V_DSS）下，实现了低至450毫欧（典型值）的导通电阻（R_DS(on)）与仅16nC的栅极电荷（Q_g）的优异组合，这使其在9A的连续漏极电流下仍能保持出色的开关性能和导通效率。

其TO-220FP绝缘封装提供了良好的功率处理能力，最大耗散功率达25W，并支持高达150°C的工作结温，确保了在高温环境下的稳定性和长寿命。这些核心参数使其成为工业电源、电机驱动和高效照明系统中功率开关应用的理想选择。

• 型号:STF12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF12N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。