SCT50N120

SCT50N120是ST意法半导体基于先进SiCFET技术开发的N通道功率晶体管。该器件核心优势在于其1200V/65A的高压大电流处理能力，结合碳化硅材料固有的低损耗特性，在69毫欧的低导通电阻与仅122nC的低栅极电荷共同作用下，实现了极低的导通与开关损耗。

器件采用HiP247通孔封装，最大功率耗散达318W，并支持-55°C至200°C的宽结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与散热效能。其设计兼顾高性能与易用性，标准的20V驱动电压便于系统集成。这些参数特性使其成为提升太阳能逆变器、工业驱动、电动汽车充电及高端服务器电源等系统效率与功率密度的理想选择。

• 型号:SCT50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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