STH245N75F3-6技术参数详情：
STH245N75F3-6是ST意法半导体基于STripFET F3技术开发的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。其在壳温25°C下连续漏极电流高达180A，漏源电压为75V，为48V系统应用提供了可靠的保障。
其最突出的技术参数是极低的导通电阻，在10V栅极驱动和90A电流条件下，典型值仅为3毫欧，这直接优化了传导效率。同时，最大87nC的栅极电荷有助于实现快速开关，降低开关损耗。该器件设计用于严苛环境，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散达300W，非常适合要求高功率密度和高可靠性的汽车及工业电源解决方案。
- 型号:STH245N75F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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