SCTH40N120G2V7AG技术参数详情：
SCTH40N120G2V7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道SiCFET。该器件采用先进的碳化硅技术，具备650V的漏源电压和33A的连续漏极电流处理能力，专为要求高效率和可靠性的严苛应用而设计。
其核心电气特性包括在18V驱动下仅105毫欧的低导通电阻，以及低至63nC的栅极电荷，这共同确保了极低的导通损耗与开关损耗，显著提升系统能效。器件采用H2PAK-7封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并优化了热性能，适用于高频、高温工作环境。
- 型号:SCTH40N120G2V7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
- 现在可以订购SCTH40N120G2V7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
