SCTH50N120-7技术参数详情：
SCTH50N120-7是意法半导体（STMicroelectronics）PTD产品线下的有源功率晶体管，融合了宽禁带（WBG）半导体技术与功率射频（POWER RF）设计理念。该器件属于FET类别，专为高性能功率开关应用而优化。
其核心价值在于利用宽禁带材料的特性，旨在实现比传统硅基方案更低的导通与开关损耗，以及更优异的高温工作稳定性。这使得它能够支持更高频率的开关操作，有助于提升整个电源系统的功率密度和转换效率，满足现代电力电子对紧凑型、高效率设计的迫切需求。
- 型号:SCTH50N120-7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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