SCTH90N65G2V-7技术参数详情：
SCTH90N65G2V-7是ST意法半导体基于碳化硅（SiC）技术开发的一款高性能N沟道功率FET。该器件额定值为650V漏源电压和90A连续漏极电流，采用H2PAK-7表面贴装封装，专为高功率、高能效应用而优化。
其核心优势在于极低的导通电阻（26mΩ @50A, 18V）与优化的栅极电荷（157nC @18V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关性能，从而提升系统整体效率。器件结温最高可达175°C，具备出色的高温工作能力和可靠性。
这些特性使其成为工业电源、电机驱动、新能源逆变及电动汽车充电等先进电力转换系统中功率开关单元的卓越选择。
- 型号:SCTH90N65G2V-7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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