SCTW100N65G2AG技术参数详情：
SCTW100N65G2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247通孔封装，核心优势在于利用SiC材料特性，实现了高压、大电流下的高效功率开关。
其关键参数包括650V的漏源电压（Vdss）和100A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。在18V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至26毫欧（@50A），栅极电荷（Qg）最大值为162nC，这共同确保了极低的导通与开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至200°C）和420W（Tc）的功率耗散能力，使其能够满足汽车及工业应用中对高温可靠性和高功率密度的严苛要求。
- 型号:SCTW100N65G2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:420W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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