SCTW35N65G2V技术参数详情：
SCTW35N65G2V是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247封装，核心优势在于其650V的耐压和45A的连续电流处理能力，结合其低至67毫欧的导通电阻，为高功率应用提供了出色的效率和功率密度。
其技术特性围绕降低系统损耗设计，包括最大73nC的低栅极电荷和优化的开关特性，这有助于实现高频开关并减少开关损耗。器件支持-55°C至200°C的宽结温工作范围，确保了在严苛汽车及工业环境下的高可靠性与长期稳定性，是电动汽车车载充电、DC-DC转换及工业高效电源等先进功率转换系统的关键组件。
- 型号:SCTW35N65G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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