STD47N10F7AG

STD47N10F7AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101认证汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET F7技术。其核心优势在于极低的导通电阻（最大值18mΩ @ 22.5A, 10V）与优化的栅极电荷（最大值25nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗和高开关效率。

该器件额定参数为100V漏源电压与45A连续漏极电流（T_C=25°C），采用DPAK封装，最大功率耗散60W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其成为要求高可靠性和高效能的汽车与工业功率控制应用的坚实选择。

• 型号:STD47N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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