SCTWA35N65G2VAG技术参数详情：
SCTWA35N65G2VAG是ST意法半导体推出的一款N通道碳化硅（SiC）结晶体管，采用TO-247长引线通孔封装。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）和45A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合其基于SiC技术带来的低导通电阻（典型72毫欧 @ 20A, 20V）与低栅极电荷（最大73nC），共同实现了极低的传导与开关损耗。
其设计支持高达208W（Tc）的功率耗散，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在高温、高功率密度应用中的可靠性。这些特性使其成为提升开关电源、光伏逆变器、电动汽车电驱及工业电机驱动等系统效率与功率密度的关键功率开关解决方案。
- 制造商产品型号：SCTWA35N65G2VAG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247 长引线
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