SCTWA50N120技术参数详情：
SCTWA50N120是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道SiCFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅技术，额定电压为1200V，连续漏极电流高达65A（Tc），在40A电流下导通电阻典型值低至69毫欧，有效降低了导通损耗。
其栅极电荷（Qg）最大值仅为122nC，结合较低的输入电容，确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，适用于高频开关应用。器件采用HiP247通孔封装，最大功率耗散为318W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至200°C，具备出色的热管理和可靠性。
这些核心参数使其成为追求高效率、高功率密度和高温稳定性的工业电源、新能源逆变器及电动汽车电驱等高端电力电子系统的理想功率开关选择。
- 型号:SCTWA50N120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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