SCTWA90N65G2V-4

SCTWA90N65G2V-4是ST意法半导体推出的一款采用碳化硅（SiC）结晶体管（SJT）技术的N沟道功率器件。该器件额定电压为650V，在25°C壳温下可连续通过119A电流，最大功率耗散达565W，具备宽泛的-55°C至200°C工作结温范围，适用于高可靠性要求的工业环境。

其核心电气特性优势显著：导通电阻（Rds(on)）低至24毫欧（@50A, 18V），有效降低了导通损耗；栅极电荷（Qg）仅为157nC（@18V），有利于实现高频、低损耗的开关操作。器件采用HiP247通孔封装，提供了卓越的散热性能和机械鲁棒性。

• 型号:SCTWA90N65G2V-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 现在可以订购SCTWA90N65G2V-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。