STB22N60M6

STB22N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和15A（T_C）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在低损耗特性上。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至230毫欧（@7.5A），能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值20nC @10V）和输入电容（C_iss）确保了快速、高效的开关性能，有助于减少开关损耗并提升系统整体能效。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源及电机驱动应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STB22N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
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