SD1275技术参数详情：
SD1275是ST意法半导体生产的一款NPN射频功率晶体管，采用M135金属封装，适用于高功率射频放大电路。其核心特性包括高达70W的最大功率处理能力、8A的集电极电流以及9dB的功率增益，能够在高达200°C的结温下稳定工作。
该器件在250mA、5V条件下提供最小20的直流电流增益（hFE），集电极-发射极击穿电压为16V，确保了良好的放大性能和电压耐受性。其底座接线柱安装方式优化了散热和电流承载能力，适合用于射频发射、通信等需要可靠功率输出的应用场景。
- 型号:SD1275
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M135
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
- 描述:RF TRANS NPN 16V M135
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:16V
- 频率 - 跃迁:-
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
- 增益:9dB
- 功率 - 最大值:70W
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8A
- 工作温度:200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座，接线柱安装
- 封装/外壳:M135
- 供应商器件封装:M135
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