SD56120技术参数详情：
SD56120是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，采用M246封装。该器件在860MHz频率下可提供高达100W的输出功率和16dB的增益，展现了强大的信号放大能力。
其核心电气参数包括65V的额定电压和14A的额定电流，确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。该产品专为UHF频段的高要求射频功率放大场景设计，适用于专业通信及广播发射系统。
- 型号:SD56120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M246
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M246
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:860MHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:14A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:100W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:M246
- 供应商器件封装:M246
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