VND10B-E技术参数详情：
VND10B-E是ST意法半导体生产的一款双通道高端智能功率开关，属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器类别。该器件采用5-PENTAWATT通孔封装，集成了两个独立的N通道功率MOSFET，每通道可支持6V至26V的负载电压，并提供高达3.4A的最大输出电流，其低至100毫欧的典型导通电阻确保了高效的电能传输。
该驱动器设计简洁，采用开/关式非反相逻辑接口控制，无需独立供电电压（Vcc）。其核心卖点在于集成了全面的诊断与保护功能，包括状态标志输出、开路负载检测以及过温保护，显著提升了系统运行的可靠性和可维护性。它适用于需要直接由逻辑电路控制功率负载的各种应用场景。
- 型号:VND10B-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:5-PENTAWATT
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:6V ~ 26V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:3.4A
- 导通电阻（典型值）:100 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:开路负载检测，超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:5-PENTAWATT
- 封装/外壳:Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）
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