SMM4F12A-TR技术参数详情：
SMM4F12A-TR是ST意法半导体SMM4F系列中的一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用齐纳技术，专为通用过压保护应用而设计。该器件提供12V的反向断态电压，能够有效箝制高达25.3V的瞬态电压尖峰，其核心优势在于可承受91A（8/20s）的峰值脉冲电流，对应400W的峰值脉冲功率，具备强大的浪涌能量吸收能力。
器件采用表面贴装DO-222AA封装，适用于自动化生产，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。它主要用于保护12V左右的电源总线、数据线及I/O端口，抵御ESD、EFT等电气瞬变干扰，是提升电子系统鲁棒性的关键保护元件。
- 型号:SMM4F12A-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DO222-AA
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 12VWM 25.3VC DO222-AA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:12V
- 电压 - 击穿（最小值）:13.3V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:25.3V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):91A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:400W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:DO-222AA
- 供应商器件封装:DO222-AA
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