STD25NF20技术参数详情：
STD25NF20是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET系列，专为高可靠性应用设计。
其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理基础。关键性能优势体现在其低导通电阻（典型值125mΩ @ 10A, 10V）与低栅极电荷（典型值39nC @ 10V）的优化组合，这有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。
器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，最大功耗达110W（Tc），确保了在严苛环境下的长期稳定运行，非常适用于汽车电子、工业电源及高功率密度DC-DC转换器等应用。
- 型号:STD25NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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