SO642技术参数详情：
SO642是ST意法半导体生产的一款表面贴装NPN双极性晶体管，属于高压小信号器件系列。其核心卖点在于高达300V的集射极击穿电压和100mA的集电极电流能力，结合SOT-23-3微型封装，为高压开关和放大应用提供了紧凑的解决方案。
该器件在饱和时具有较低的Vce压降（典型500mV @ 20mA），有助于提升能效，同时直流电流增益(hFE)最小40，确保良好的信号放大线性度。其工作结温可达150°C，最大功耗310mW，适用于要求高可靠性和宽温度范围的设计。尽管已停产，其参数组合仍使其在电源管理、工业控制和通信接口等领域具有参考价值。
- 型号:SO642
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT-23-3
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:300 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 2mA，20mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 30mA，10V
- 功率 - 最大值:310 mW
- 频率 - 跃迁:50MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
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