SPT01-335DEE技术参数详情：
SPT01-335DEE是ST意法半导体推出的一款采用6-VQFN封装的表面贴装TVS二极管。该器件集成了三个单向保护通道，为核心电压为33V的线路提供高效的瞬态过压保护。
其关键特性包括最小38V的击穿电压、最大46V的箝位电压，以及能够处理2A（8/20s）峰值脉冲电流和100W峰值脉冲功率的强劲浪涌保护能力。结合其-40°C至175°C的宽工作结温范围，该器件为通用型应用提供了高可靠性、高集成度的电路保护解决方案。
- 型号:SPT01-335DEE
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:6+3-QFN（3x3）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 33VWM 46VC 6+3QFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:3
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:33V
- 电压 - 击穿（最小值）:38V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:46V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:100W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-VQFN 焊盘
- 供应商器件封装:6+3-QFN（3x3）
- 现在可以订购SPT01-335DEE，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
