SPT02-236DDB技术参数详情：
SPT02-236DDB是ST意法半导体推出的一款采用2-WDFN封装的表面贴装TVS二极管。该器件专为通用电路保护设计，提供两个单向通道，其核心功能是在36V典型工作电压下保持高阻抗，并在遭遇瞬态过压时迅速动作，将电压钳位在最高46V的水平。
该器件具备强大的瞬态能量吸收能力，其峰值脉冲功率高达1400W，可承受2A（8/20s）的峰值脉冲电流，能有效抑制由ESD、EFT等引起的电压浪涌。其宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性，使其成为保护通信端口、数据线和低压电源轨等应用的理想选择。
- 型号:SPT02-236DDB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:2-uQFN（3.3x1.5）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 36VWM 46VC 2UQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态（典型值）:36V
- 电压 - 击穿（最小值）:38V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:46V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:1400W（1.4kW）
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:2-WDFN 焊盘
- 供应商器件封装:2-uQFN（3.3x1.5）
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