STL90N10F7

STL90N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件设计用于在100V的漏源电压下处理高达70A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为数毫欧量级，这使其在导通状态下的功率损耗降至最低。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心设计，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，支持高达175°C的结温，确保了在紧凑空间内出色的功率处理能力和热可靠性，非常适合高密度电源转换和电机驱动应用。

• 型号:STL90N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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