STAC250V2-500E技术参数详情：
STAC250V2-500E是ST意法半导体生产的一款N通道射频功率MOSFET，采用STAC177B封装。该器件设计用于27MHz工作频率，提供高达21.5dB的功率增益，核心能力在于其卓越的功率处理特性，支持500W的射频功率和900V的额定电压，适用于高要求的射频功率放大场景。
在150V测试电压下，该晶体管可实现3.5W的输出，展现了高效的能量转换性能。作为有源器件，它专为工业级大功率、高稳定性的应用而优化，是构建射频功率放大链路的可靠选择。
- 型号:STAC250V2-500E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:STAC177B
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 150V STAC177B
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:27MHz
- 增益:21.5dB
- 电压 - 测试:150 V
- 额定电流（安培）:-
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:-
- 功率 - 输出:3.5W
- 电压 - 额定:900 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:STAC177B
- 供应商器件封装:STAC177B
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