STI10NM60N

STI10NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与10A的连续漏极电流（Id）额定值，结合低至550毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压功率开关应用提供了低传导损耗的解决方案。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，配合优化的输入电容，确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗，有利于提升系统工作效率与工作频率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热可靠性，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STI10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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