START499ETR技术参数详情:
START499ETR是ST意法半导体生产的一款表面贴装硅NPN射频晶体管,采用SOT-343封装。该器件核心优势在于其高频与低噪声特性,跃迁频率达1.9GHz,噪声系数在1.8GHz时典型值仅为3.3dB,同时提供15dB的增益,非常适合用作射频前端的低噪声放大器。
其电气参数针对低电压应用优化,集射极击穿电压最大4.5V,最大集电极电流600mA,在160mA、4V条件下直流电流增益(hFE)最小值为160。这些特性使其能在紧凑的电路空间中,为便携式无线通信设备提供高效、稳定的信号放大解决方案。
- ST意法半导体公司完整型号:START499ETR
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:TRANS RF SILICON NPN SOT-343
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):4.5V
- 频率 - 跃迁:1.9GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.3dB @ 1.8GHz
- 增益:15dB
- 功率 - 最大值:600mW
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 160mA,4V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:SOT-343
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